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銅線やビアなどの集積回路（ＩＣ）相互接続のエレクトロマイグレーション障害は、最先端の半導体技術にとって重大な信頼性の問題であることが広く認識されており、この問題の上昇する課題は試験方法論を新たに見直す必要がある。

EM現象は、導体を通る電子の流れの自然な結果です。運動量移動は金属原子の位置をずらし、最終的には開回路または短絡ICの故障につながります。本質的なEMテストは相互接続技術の長期信頼性を予測するためにこの効果を評価します。これは、プロセス開発、品質保証、およびIC設計規則にも反映されます。ノードの進歩により形状が縮小しアスペクト比が変化し続け、垂直構造がマルチチップ統合のためにオンラインになるにつれて、また業界が提案するように、信頼性マージンの縮小に応じて設計ルールの複雑さが増すにつれてEMの結果はますます重要になっている。ライナー、バリア、さらには主要インターコネクト自体のための新しい材料と合金を評価します。

何十年もの間、EM信頼性テストは主にパッケージレベルの信頼性（PLR）活動として行われてきましたが、他のほとんどの本質的信頼性テストがウェーハレベルの信頼性（WLR）に移行しても頑固に残っています。 PLRからWLRへのこの動きには、3つの動機があります。

• より速い結果- WLRは、PLRテストの前に必要な梱包手順を省略します。
• 低い所有コスト- WLRは、進行中の梱包コストとPLRの物流を回避します。
• より優れたデータ整合性- WLRは、PLRの梱包および取り扱い手順のようにテスト構造を損傷にさらすことはありません。

これらの動機はEMテストにも当てはまりますが、EMは伝統的にほぼ排他的にPLRテストとして実行されてきました。これは、非常に高い温度（350℃までが一般的です）、高温での銅の酸化、長いテスト時間（数日、数週間、または数週間）といったEMの特別な要件に対する費用効果が高く技術的に対応できる解決策の欠如によるものです。サンプル数が多い（多数の並行テストチャンネルが必要）。

標準化されたウェハレベルエレクトロマイグレーション加速試験（ＳＷＥＡＴ）および等温ＥＭのような、それほど要求の厳しくない機器要件を有する代替の「高速」ウェハレベルＥＭ試験アルゴリズムが試みられてきた。しかし今日では、これらは統計的なプロセス制御モニターとして外因性の故障やプロセス変動を検出するために大部分は役立つと考えられています。したがって、業界標準のブラックの式に従って相互接続寿命および加速情報を提供するための従来の固有のＥＭ試験は、依然として半導体信頼性試験プログラムの必須要素である。

幸いなことに、EM WLRツールは、EM PLRの同じ基本的な故障メカニズムを研究するために利用可能になり、同じテストアルゴリズムとテスト条件を直接ウェハに適用します。これらのツールは、プローブステーション機能の大幅な進歩を実証し、特殊なプローブカード、高性能機器、およびフルシステム統合により、EMテスト機能をさらに最適化します。

WLRは、PLRと比較して信頼性テストプログラムに3つの重要な利点を提供します。これらの利点を詳しく調べるために、私達の技術概要をダウンロードしなさい -ウエハレベルエレクトロマイグレーションを利用したICの設計と認定サイクルの加速