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の需要ハイパワーデバイス（Si、GaNおよびSiC基板上に構築されている）主にハイブリッドおよび電気自動車、ソーラー、輸送、データセンターの電源、およびその他の産業分野などの自動車および産業分野によって推進されてきた。 ＧａＮおよびＳｉＣパワー半導体（ラテラル構造および垂直構造）のオンウェーハテスト方法論はＳｉデバイスに類似しているが、これらの新しいワイドバンドギャップデバイスには拡張されたテスト能力が必要である。

パッケージ内ではなくウェハ上でSiおよび最新のGaN / SiCデバイスをテストする場合、R

1.高電圧用アンチアーク
典型的には、ウェハ上で高電圧を測定するとき、プローブ針の間に放電（アーク放電）があるだろう。これは、DUT（被試験デバイス）と隣接デバイス（垂直レイアウト）または他のテストパッド（横レイアウト）との間でも発生します。さらに、１０００Ｖを超える電圧では、ウェハチャックと周囲のプローブステーションとの間にアーク放電が発生する可能性がある。

装置に対するプローブの低い接触抵抗
正確な大電流測定を達成するためのもう1つの重要な課題は、プローブとデバイスとの接触抵抗をできるだけ低く抑えることです。これにより、デバイスの全性能をインパッケージ性能と完全に相関させながらオンウェーハで測定できるようになります。これにより、最終用途のパワーモジュールに既知の良品ダイを使用することで、大幅にコストを削減できます。

3.ウェハとチャック間の均一性が低く、接触および熱抵抗が低い
ウェハ上のすべてのデバイスについて正確なデータを得るためには、ウェハの裏面とチャック上面との間に均一な物理的接触を持たせることが重要です。第１に、これは、ウェハ上のデバイスの位置に関係なく、デバイスが発生する熱を確実に各デバイスから分散させることによって熱誤差を減少させる。第二に、チャックが電気接点の1つとして機能する縦型デバイス（IGBTなど）の場合、これによって超低接触抵抗が可能になります。これは、RDS（on）の非ケルビン試験の抵抗誤差を克服するための重要なニーズです。両方の課題が解決された場合にのみ、各デバイスの最大性能がデータのテストに見られます。

4.回路設計者のための正確なデバイスモデル
デバイス評価技術者にとっての課題は、高電圧/大電流と正確な低リーク性能の両方を測定して、完全なデバイスモデルを作成することです。これは回路設計者が最大の商業的価値のために彼らのパワーIC設計を最適化するのを助けるでしょう。動作していないとき（オフリーク）の高電圧/電流スイッチングとデバイスの消費電力のバランスをとることが、この作業の主な焦点です。

これらの課題を解決するために、パワー半導体研究者、デバイス/テストエンジニア、製造管理者/オペレーター向けにTESLA200アドバンストオンウェーハパワー半導体プロービングシステムを開発しました。詳細についてはTESLA200プローブシステム当社のウェブサイトをご覧ください。データシートをダウンロードする（PDF）