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ファンアウトウェハレベルパッケージング（FOWLP）は、今日最も急成長している先進のパッケージングセグメントの1つです。その成長は、iPhone 7 A10プロセッサが彼らのハイエンドのモバイルアプリケーションプロセッサのためのファンアウト技術を組み込んだときに発火しました。 Yole Researchによると、FOWLPは2022年までに25億ドルに成長すると予測されており、2016年の3億2000万ドルから増加しています。

FOWLPは、ウェーハレベルのテスト要件に大きな変化をもたらしました。

1. ファンアウト特性の能力により、ウェハテスト用のネイティブピッチは、ダイシンギュレーションおよびファンの前のウェハテスト用に、今日の生産における100umピッチよりはるかに低く、30〜40umピッチの範囲まで潜在的に大幅に縮小され得る。 -でる。
2. ファンアウト後工程をノウハウダイのみが確実に実行するためには、シンギュレーションの前にウェハレベルでより高品質の電気的試験が要求される。これは、ウェーハレベルでより高いレベルのパワーインテグリティ（ＰＩ）およびシグナルインテグリティ（ＳＩ）を必要としてきた。
3. ＦＯＷＬＰプロセスはまた、Ｃｕ材料上で直接プロービングすることが望まれる新しい試験挿入の可能性を導入した。特に高温では、空気中のCuの急速な酸化によるCresの安定性に関する懸念のため、Cu上でのプロービングは困難であると広く認識されています。さらに、CuパッドはAIパッドの約2倍の硬さです。

この移行に伴い、Cuパッドのプロービングの要件が生まれました。

• プローブがパッドに付着しないように酸化物層をこすり洗いするための適切な非酸化プローブ冶金
• 酸化物層を貫通して最適なオーバートラベルで適切なスクラブを可能にするプローブの形状と先端形状
• 最適化された洗浄レシピによる安定した低接触抵抗

SamsungとFormFactorは、「Cuのプロービング」という神話を打ち破るための新しい垂直型MEMS技術の開発に協力してきました。私たちは、Cuプロービング用に最適化された新しいタイプのMEMSプローブチップ材料を評価しました。今年の初めに、私達は私達の評価プロセスとFOWLPのためのCuプロービングプロセスからの有望な結果、そして既知の良いダイテストと40um以下のピッチ縮小をサポートする能力を提示しました。あなたはできるこのプレゼンテーションをダウンロードするそして、ここで非常に有望な結果を見てください。

http://www.formfactor.com/download/break-the-myth-of-wafer-probing-on-cu-for-fan-out-wafer-level-packaging-fowlp/?wpdmdl=10162